汽車MRAM存儲芯片MR25H10

    Everspin存儲芯片MR25H10是一個1048576位的磁阻隨機存取存儲器（MRAM）設備，被組織為8位的131072個字。MR25H10提供串行EEPROM和串行閃存兼容的讀/寫定時，無寫延遲，讀/寫持久性無限制。與其他串行存儲器不同，讀取和寫入都可以在存儲器中隨機發生，寫入之間沒有延遲。是必須使用少量I/O引腳快速存儲和檢索數據和程序的應用程序的理想內存解決方案。
 
    MR25H10封裝DFN8封裝或DFN Small Flag封裝。兩者都兼容串行EEPROM、閃存和FeRAM產品。可在各種溫度范圍內提供高度可靠的數據存儲。該產品提供工業級（-40℃至+85℃）和AEC-Q100 1級（-40℃至+125℃的）工作溫度范圍選項。
 
    特點
    •無寫入延遲
    •無限制的寫入續航能力
    •數據保留期超過20年
    •斷電時的自動數據保護
    •塊寫入保護
    •快速、簡單的SPI接口，時鐘頻率高達40 MHz
    •2.7至3.6伏電源范圍
    •低電流睡眠模式
    •工業溫度
    •可提供符合RoHS的8引腳DFN或8引腳DFN-Small Flag包裝
    •直接替換串行EEPROM、閃存、FeRAM
    •AEC-Q100 1級選項

本文關鍵詞：MR25H10,MRAM

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